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MOSFET (HEXFET /FETKY) International Rectifier IRF 510 N-Kanal Gehäuseart TO 220 I(D) 5.6 A U(DS) 100 V

Best.-Nr.: 162402 - 62 [Teilenummer: IRF510PBF]

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MOSFET (HEXFET /FETKY)

Beschreibung

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Dieser Transistor ist µC-, TTL- und CMOS-kompatibel. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Technische Daten

Typ	IRF 510
Beschreibung	100 V/5.6 A
I_{D @ 25°C}	5.6 A
I_{D @ HighTemp}	4 A
R_th max.	3,5 °C/W
I_D	5.6 A
U_DS	100 V
Gehäuse	TO 220
R_DS(on)	0.54 Ohm
RoHS-konform	Ja
Ausführung	N-Kanal

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International Rectifier;IRF510PBF;IRF510;FET;Feldeffekt-transistor;fieldeffect-transistor;unipolar transistor;field-effect transistor;MOSFET;mos-fet;metal oxide semiconductor;transistor MOS;transistor à effet de champ;unipolartransistor;gate;drain;source;anreicherungstyp;verarmungstyp;selbstleitend;selbstsperrend;Junction fet;Sperrschicht-Feldeffekttransistor

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