Best.-Nr.: 162461 - 62 [Teilenummer: IRF7389PBF]
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MOSFET (HEXFET/FETKY)
Technische Daten
| Typ | IRF 7389 |
|---|---|
| Beschreibung | 30 V/N/P 7.3 A/-5.3 A |
| ID @ 25°C | 7.3 A/-5.3 A |
| ID @ HighTemp | 5.9 A/-4.2 A |
| Rth max. | 50 °C/W |
| ID | 5.9 A |
| UDS | 30 V |
| Gehäuse | SO 8 |
| RDS(on) | 0.029 Ohm |
| RoHS-konform | Ja |
| Ausführung | N/P-Kanal |
Kunden suchen auch nach:
International Rectifier;IRF7389PBF;IRF7389 HEXFET SO-8;FET;Feldeffekt-transistor;fieldeffect-transistor;unipolar transistor;field-effect transistor;MOSFET;mos-fet;metal oxide semiconductor;transistor MOS;transistor à effet de champ;unipolartransistor;gate;drain;source;anreicherungstyp;verarmungstyp;selbstleitend;selbstsperrend;Junction fet;Sperrschicht-Feldeffekttransistor
(PDF, 0,16 MB)
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