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  • INTERNATIONAL RECTIFIER
Power MOSFET, P-Kanal International Rectifier IRF 9 Z 24 N P-Kanal Gehäuseart TO 220 I(D) -12 A U(DS) -55 V
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Power MOSFET, P-Kanal

Technische Daten

Typ IRF 9 Z 24 N
Beschreibung -60 V/-12 A
ID @ 25°C -12 A
ID @ HighTemp -8.5 A
Rth max. 3,3 °C/W
ID -12 A
UDS -55 V
Gehäuse TO 220
RDS(on) 0.175 Ω
RoHS-konform Ja
Ausführung P-Kanal

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International Rectifier;IRF9Z24NPBF;IRF9Z24N;FET;Feldeffekt-transistor;fieldeffect-transistor;unipolar transistor;field-effect transistor;MOSFET;mos-fet;metal oxide semiconductor;transistor MOS;transistor à effet de champ;unipolartransistor;gate;drain;source;anreicherungstyp;verarmungstyp;selbstleitend;selbstsperrend;Junction fet;Sperrschicht-Feldeffekttransistor

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