Best.-Nr.: 162549 - 62 [Teilenummer: IRF9Z24NPBF]
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Power MOSFET, P-Kanal
Technische Daten
| Typ | IRF 9 Z 24 N |
|---|---|
| Beschreibung | -60 V/-12 A |
| ID @ 25°C | -12 A |
| ID @ HighTemp | -8.5 A |
| Rth max. | 3,3 °C/W |
| ID | -12 A |
| UDS | -55 V |
| Gehäuse | TO 220 |
| RDS(on) | 0.175 Ω |
| RoHS-konform | Ja |
| Ausführung | P-Kanal |
Kunden suchen auch nach:
International Rectifier;IRF9Z24NPBF;IRF9Z24N;FET;Feldeffekt-transistor;fieldeffect-transistor;unipolar transistor;field-effect transistor;MOSFET;mos-fet;metal oxide semiconductor;transistor MOS;transistor à effet de champ;unipolartransistor;gate;drain;source;anreicherungstyp;verarmungstyp;selbstleitend;selbstsperrend;Junction fet;Sperrschicht-Feldeffekttransistor
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