Best.-Nr.: 162652 - 62 [Teilenummer: IRFP3703PBF]
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MOSFET (HEXFET/FETKY)
Technische Daten
| Typ | IRFP 3703 |
|---|---|
| Beschreibung | 30 V/210 A |
| ID @ 25°C | 210 A |
| ID @ HighTemp | @100 ºC 100 A |
| Rth max. | 0.65 °C/W |
| UBR DSS | 30 V |
| ID | 210 A |
| UDS | 30 V |
| Gehäuse | TO 247 |
| RDS(on) | 0.0028 Ω |
| RoHS-konform | Ja |
| Ausführung | N-Kanal |
Kunden suchen auch nach:
International Rectifier;IRFP3703PBF;IRFP3703;FET;Feldeffekt-transistor;fieldeffect-transistor;unipolar transistor;field-effect transistor;MOSFET;mos-fet;metal oxide semiconductor;transistor MOS;transistor à effet de champ;unipolartransistor;gate;drain;source;anreicherungstyp;verarmungstyp;selbstleitend;selbstsperrend;Junction fet;Sperrschicht-Feldeffekttransistor
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