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MOSFET DIODES Incorporated 2N7002-7-F 1 N-Kanal 370 mW SOT-23-3

DIODES Incorporated
Bestell-Nr.: 558300 - 62
Teile-Nr.: 2N7002-7-F |  EAN: 2050003195195
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    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    2N7002‑7‑F
    Gehäuse
    SOT‑23‑3
    Hersteller
    DIODES Incorporated
    Herst.-Abk.
    DIn
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    115 mA
    U
    60 V
    Ptot
    370 mW
    R(DS)(on)
    7.5 Ω
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    50 mA
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    5 V
    U(GS)(th) max.
    2.5 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    C(ISS)
    50 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    60 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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