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MOSFET DIODES Incorporated ZXMN10A08DN8TA 2 N-Kanal 1.25 W SOIC-8

DIODES Incorporated
Bestell-Nr.: 563651 - 62
Teile-Nr.: ZXMN10A08DN8TA |  EAN: 2050003199629
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    • Typ: ZXMN10A08DN8TA
    • Gehäuse: SOIC-8
    • Hersteller: DIODES Incorporated
    • Herst.-Abk.: DIn
    • Ausführung: N-Kanal

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    ZXMN10A08DN8TA
    Gehäuse
    SOIC-8
    Hersteller
    DIODES Incorporated
    Herst.-Abk.
    DIn
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    1.6 A
    U
    100 V
    Ptot
    1.25 W
    R(DS)(on)
    250 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    3.2 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom min.
    250 µA
    Q(G)
    7.7 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    405 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    50 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    2

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