JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}
{{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Checkout' " }} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Cart' " }} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Direct Order' " }}
Direktbestellung

:

>

Es konnte kein Artikel gefunden werden.
Der gewünschte Artikel ist leider nicht verfügbar.

Direktbestellung / Artikelliste (BOM) hochladen

Geben Sie einfach die Bestellnummer in das obige Feld ein und die Artikel werden direkt in Ihren Einkaufswagen gelegt.

Sie möchten mehrere Artikel bestellen?
Mit unserem Artikellisten-Upload können Sie einfach Ihre eigene Artikelliste hochladen und Ihre Artikel gesammelt in den Einkaufswagen legen.
{{/xif}} {{/xif}} {{/xif}}

MOSFET DIODES Incorporated ZXMN10A25GTA 1 N-Kanal 2 W SOT-223

DIODES Incorporated
Bestell-Nr.: 563656 - 62
Teile-Nr.: ZXMN10A25GTA |  EAN: 2050003199667
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET DIODES Incorporated ZXMN10A25GTA 1 N-Kanal 2 W SOT-223
  • € 2,09
    (Sie sparen € 0,50)
    € 1,59
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Menge in Stück Preis Ersparnis
    1 € 1,59 --
    10 € 1,51 5% = € 0,80
    25 € 1,43 10% = € 4,00
    50 € 1,35 15% = € 12,00
    Lieferung in 2 Wochen

    • Typ: ZXMN10A25GTA
    • Gehäuse: SOT-223
    • Hersteller: DIODES Incorporated
    • Herst.-Abk.: DIn
    • Ausführung: N-Kanal
    Teilen
    • Google+
    • Pinterest

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    ZXMN10A25GTA
    Gehäuse
    SOT-223
    Hersteller
    DIODES Incorporated
    Herst.-Abk.
    DIn
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    2.9 A
    U
    100 V
    Ptot
    2 W
    R(DS)(on)
    125 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    2.9 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    17 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    859 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    50 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    RoHS-konform
    Ja

    Dokumente & Downloads

    Häufig gesuchte MOSFETS:
    Ähnliche Produkte
    Nach oben