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MOSFET DIODES Incorporated ZXMN2A04DN8TA 2 N-Kanal 1.8 W SOIC-8

DIODES Incorporated
Bestell-Nr.: 563660 - 62
Teile-Nr.: ZXMN2A04DN8TA |  EAN: 2050003199704
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    • Typ: ZXMN2A04DN8TA
    • Gehäuse: SOIC-8
    • Hersteller: DIODES Incorporated
    • Herst.-Abk.: DIn
    • Ausführung: N-Kanal

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    ZXMN2A04DN8TA
    Gehäuse
    SOIC-8
    Hersteller
    DIODES Incorporated
    Herst.-Abk.
    DIn
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    5.9 A
    U
    20 V
    Ptot
    1.8 W
    R(DS)(on)
    25 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    5.9 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    4.5 V
    U(GS)(th) max.
    0.7 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom min.
    250 µA
    Q(G)
    22.1 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    5 V
    C(ISS)
    1880 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    10 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    20 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    2

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