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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Fairchild Semiconductor 2N7000 1 N-Kanal 400 mW TO-92

Fairchild Semiconductor
Rated 5 out of 5 by 1 reviewer.
  • 2015-10-20T17:23:07.579-05:00
  • bvseo_lps, prod_bvrr, vn_prr_5.6
  • cp-1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_1, tr_1
  • loc_en_US, sid_151034, prod, sort_default
Bestell-Nr.: 151034 - 62
Teile-Nr.: 2N7000 |  EAN: 2050000012570
Abbildung ähnlich
  • € 0,26
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 09.12 bis 10.12.2016

    MOSFETs ( ≤1 W )

    Technische Daten

    Typ
    2N7000
    Gehäuse
    TO‑92
    Hersteller
    Fairchild Semiconductor
    Herst.-Abk.
    FSC
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    200 mA
    U
    60 V
    Ptot
    400 mW
    R(DS)(on)
    5 Ω
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    500 mA
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    3 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    1 mA
    C(ISS)
    50 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    60 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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    Rated 5 out of 5 by Vielseitig einsetzbar Diesen Transistor verwende ich gerne zum Basteln. Er ist günstig, für die meisten Anwendungen geeignet und ist robust: er hat eine gute Spannungsfestigkeit von 60V und mit 200mA treibt er genug Strom für die Meisten Anwendungen. Auch kann er mit den üblichen 3V sicher durchgeschaltet werden; daher benutze ich ihn gerne zur PWM-Ansteuerung von LEDs. Leider hat er mit 1.5Ohm einen recht hohen Restwiderstand und ist somit nicht geeignet für Anwendungen mit einem hohen Strom. Bereits bei 100mA wird er sehr warm. 17. Dezember 2013
    • 2015-10-20T17:23:07.579-05:00
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