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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Fairchild Semiconductor RFP50N06 1 N-Kanal 131 W TO-220AB

Fairchild Semiconductor
Rated 4,7 out of 5 by 3 reviewers.
  • 2015-10-20T17:17:43.960-05:00
  • bvseo_lps, prod_bvrr, vn_prr_5.6
  • cp-1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_3, tr_3
  • loc_en_US, sid_151583, prod, sort_default
Bestell-Nr.: 151583 - 62
Teile-Nr.: RFP50N06 |  EAN: 2050000014550
Abbildung ähnlich
  • € 1,19
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 13.12 bis 14.12.2016

    MOSFET, N Kanal

    Technische Daten

    Typ
    RFP50N06
    Gehäuse
    TO‑220AB
    Hersteller
    Fairchild Semiconductor
    Herst.-Abk.
    FSC
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    50 A
    U
    60 V
    Ptot
    131 W
    R(DS)(on)
    22 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    50 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    150 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    20 V
    C(ISS)
    2020 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    60 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

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    • 2015-10-20T17:17:43.960-05:00
    • bvseo_lps, prod_bvrr, vn_prr_5.6
    • cp-1, bvpage1
    • co_hasreviews, tv_3, tr_3
    • loc_en_US, sid_151583, prod, sort_default
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