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MOSFET Infineon Technologies BSP317 1 P-Kanal 1.8 W TO-261-4

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 152940 - 62
Teile-Nr.: BSP317 |  EAN: 2050000019616
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 24.05 bis 25.05.2018
    • Typ: BSP317
    • Gehäuse: TO-261-4
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: P-Kanal

    Kleinsignal-Transistor

    Technische Daten

    Typ
    BSP317
    Gehäuse
    TO-261-4
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    P-Kanal
    I(d)
    430 mA
    U
    250 V
    Ptot
    1.8 W
    R(DS)(on)
    4 Ω
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    430 mA
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    370 µA
    Q(G)
    15.1 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    262 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Serie
    SIPMOS®
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    250 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

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