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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies BSP320S 1 N-Kanal 1.8 W TO-261-4

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 152980 - 62
Teile-Nr.: BSP320S |  EAN: 2050000019951
Abbildung ähnlich
  • € 0,42
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 28.03 bis 29.03.2017

    Kleinsignal-Transistor

    Technische Daten

    Typ
    BSP320S
    Gehäuse
    TO‑261‑4
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    2.9 A
    U
    60 V
    Ptot
    1.8 W
    R(DS)(on)
    120 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    2.9 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    20 µA
    Q(G)
    12 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    340 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Serie
    SIPMOS®
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    60 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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