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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies BSS169 1 N-Kanal 360 mW TO-236-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 152981 - 62
Teile-Nr.: BSS169 |  EAN: 2050000019968
Abbildung ähnlich
  • € 0,38
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 10.12 bis 12.12.2016

    Kleinsignal-Transistor

    Technische Daten

    Typ
    BSS169
    Gehäuse
    TO‑236‑3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    170 mA
    U
    100 V
    Ptot
    360 mW
    R(DS)(on)
    6 Ω
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    170 mA
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    1.8 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    50 µA
    Q(G)
    2.8 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    7 V
    C(ISS)
    68 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    SIPMOS®
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Deleption Mode
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

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