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MOSFET Infineon Technologies BTS640S2G 1 85 W TO-263-7

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153420 - 62
Teile-Nr.: BTS640S2G |  EAN: 2050000022944
MOSFET Infineon Technologies BTS640S2G 1 85 W TO-263-7
  • € 4,19
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 14.12 bis 15.12.2016

    Intelligenter Leistungsschalter

    Technische Daten

    Typ
    BTS640S2G
    Gehäuse
    TO‑263‑7
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    I(d)
    11.4 A
    Ptot
    85 W
    R(DS)(on)
    30 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    5 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    12 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑40 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    PROFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    U(DSS)
    34 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Beschreibung

    PROFET®
    Kunden suchen auch nach
    transistor MOS, anreicherungstyp, BTS640S2G, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, BTS640S2-GINTR-ND, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet