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MOSFET Infineon Technologies BUZ81 1 N-Kanal 125 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153623 - 62
Teile-Nr.: BUZ81 |  EAN: 2050000023798
Abbildung ähnlich
  • € 3,69
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 10.12 bis 12.12.2016

    Leistungstransistor

    Technische Daten

    Typ
    BUZ81
    Gehäuse
    TO‑220AB
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    4 A
    U
    800 V
    Ptot
    125 W
    R(DS)(on)
    2.5 Ω
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    2.8 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    1350 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    U(DSS)
    800 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

    Beschreibung

    N-Kanal-Anreicherungstyp.
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    BUZ81, transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet