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MOSFET Infineon Technologies IRF1010NS 1 N-Kanal 180 W TO-263-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162364 - 62
Teile-Nr.: IRF1010NS |  EAN: 2050000040634
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    MOSFET (HEXFET/FETKY)

    Technische Daten

    Typ
    IRF1010NS
    Gehäuse
    TO‑263‑3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    85 A
    U
    55 V
    Ptot
    180 W
    R(DS)(on)
    11 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    43 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    120 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    3210 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    55 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

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