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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF520NPBF 1 N-Kanal 48 W TO-220

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162404 - 62
Teile-Nr.: IRF520NPBF |  EAN: 2050000040962
Abbildung ähnlich
  • € 0,84
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 09.12 bis 10.12.2016

    MOSFET (HEXFET /FETKY)

    Technische Daten

    Typ
    IRF520NPBF
    Gehäuse
    TO‑220
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    9.7 A
    U
    100 V
    Ptot
    48 W
    R(DS)(on)
    200 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    5.7 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    25 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    330 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

    Beschreibung

    Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
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