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MOSFET Infineon Technologies IRF540NPBF 1 N-Kanal 130 W TO-220

Infineon Technologies
Rated 4 out of 5 by 1 reviewer.
  • 2015-10-20T17:21:19.634-05:00
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  • loc_en_US, sid_162412, prod, sort_default
Bestell-Nr.: 162412 - 62
Teile-Nr.: IRF540NPBF |  EAN: 2050000041037
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    • Typ: IRF540NPBF
    • Gehäuse: TO-220
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: N-Kanal

    MOSFET (HEXFET /FETKY)

    Technische Daten

    Typ
    IRF540NPBF
    Gehäuse
    TO-220
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    33 A
    U
    100 V
    Ptot
    130 W
    R(DS)(on)
    44 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    16 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    71 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    1960 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Serie
    HEXFET®
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Beschreibung

    Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
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