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MOSFET Infineon Technologies IRF610S 1 N-Kanal 3 W D2PAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162415 - 62
Teile-Nr.: IRF610S |  EAN: 2050000041068
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    MOSFET (HEXFET/FETKY)

    Technische Daten

    Typ
    IRF610S
    Gehäuse
    D2PAK
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    3.3 A
    U
    200 V
    Ptot
    3 W
    R(DS)(on)
    1.5 Ω
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    2 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    8.2 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    140 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    200 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Highlights & Details

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