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MOSFET Infineon Technologies IRF6215S 1 N-Kanal 3.8 W D2PAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162420 - 62
Teile-Nr.: IRF6215S |  EAN: 2050000041112
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    • Typ: IRF6215S
    • Gehäuse: D2PAK
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: N-Kanal

    MOSFET (HEXFET/FETKY)

    Technische Daten

    Typ
    IRF6215S
    Gehäuse
    D2PAK
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    13 A
    U
    150 V
    Ptot
    3.8 W
    R(DS)(on)
    290 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    6.6 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    66 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    860 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Serie
    HEXFET®
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    150 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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