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MOSFET Infineon Technologies IRF6668TR1PBF 1 N-Kanal 2.8 W DirectFET™

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161250 - 62
Teile-Nr.: IRF6668TR1PBF |  EAN: 2050001542830
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    • Typ: IRF6668TR1PBF
    • Gehäuse: DirectFET™
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: N-Kanal

    Transistor unipolar (MOSFET)

    Technische Daten

    Typ
    IRF6668TR1PBF
    Gehäuse
    DirectFET™
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    55 A
    U
    80 V
    Ptot
    2.8 W
    R(DS)(on)
    15 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    12 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4.9 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    100 µA
    Q(G)
    31 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    1320 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -40 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Serie
    HEXFET®
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    80 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

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