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MOSFET Infineon Technologies IRF6725MTR1PBF 1 N-Kanal 2.8 W DirectFET™

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161269 - 62
Teile-Nr.: IRF6725MTR1PBF |  EAN: 2050001543004
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    • Typ: IRF6725MTR1PBF
    • Gehäuse: DirectFET™
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: N-Kanal

    Transistor unipolar (MOSFET)

    Technische Daten

    Typ
    IRF6725MTR1PBF
    Gehäuse
    DirectFET™
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    28 A
    170 A
    U
    30 V
    Ptot
    2.8 W
    R(DS)(on)
    2.2 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    28 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2.35 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    100 µA
    Q(G)
    54 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    4.5 V
    C(ISS)
    4700 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    15 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -40 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Serie
    HEXFET®
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    30 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

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