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MOSFET Infineon Technologies IRF7307 1 N-Kanal, P-Kanal 2 W SOIC-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162447 - 62
Teile-Nr.: IRF7307 |  EAN: 2050000041358
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 21.09 bis 22.09.2017
    • Typ: IRF7307
    • Gehäuse: SOIC-8
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: N-Kanal , P-Kanal

    MOSFET (HEXFET/FETKY)

    Technische Daten

    Typ
    IRF7307
    Gehäuse
    SOIC-8
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N-Kanal
    P-Kanal
    I(d)
    5.2 A
    4.3 A
    U
    20 V
    Ptot
    2 W
    R(DS)(on)
    50 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    2.6 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    4.5 V
    U(GS)(th) max.
    0.7 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    20 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    4.5 V
    C(ISS)
    660 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    15 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Serie
    HEXFET®
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    20 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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