JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}
{{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Checkout' " }} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Cart' " }} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Direct Order' " }}
Direktbestellung:
Es konnte kein Artikel gefunden werden.
Der gewünschte Artikel ist leider nicht verfügbar.

Direktbestellung / Artikelliste (BOM) hochladen

Geben Sie einfach die Bestellnummer in das obige Feld ein und die Artikel werden direkt in Ihren Einkaufswagen gelegt.

Sie möchten mehrere Artikel bestellen?
Mit unserem Artikellisten-Upload können Sie einfach Ihre eigene Artikelliste hochladen und Ihre Artikel gesammelt in den Einkaufswagen legen.
{{/xif}} {{/xif}} {{/xif}}

MOSFET Infineon Technologies IRF7311 1 N-Kanal 2 W SOIC-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162451 - 62
Teile-Nr.: IRF7311 |  EAN: 2050000041396
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET Infineon Technologies IRF7311 1 N-Kanal 2 W SOIC-8
  • € 2,89
    (Sie sparen € 0,39)
    € 2,50
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 24.05 bis 25.05.2018
    • Typ: IRF7311
    • Gehäuse: SOIC-8
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: N-Kanal

    MOSFET (HEXFET/FETKY)

    Technische Daten

    Typ
    IRF7311
    Gehäuse
    SOIC-8
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    6.6 A
    U
    20 V
    Ptot
    2 W
    R(DS)(on)
    29 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    6 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    4.5 V
    U(GS)(th) max.
    0.7 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    27 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    4.5 V
    C(ISS)
    900 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    15 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Serie
    HEXFET®
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    20 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    RoHS-konform
    Ja

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Ähnliche Produkte
    Nach oben