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MOSFET Infineon Technologies IRF7319 1 N-Kanal, P-Kanal 2 W SOIC-8

Infineon Technologies
Rated 5 out of 5 by 1 reviewer.
  • 2015-10-20T17:21:50.217-05:00
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Bestell-Nr.: 162456 - 62
Teile-Nr.: IRF7319 |  EAN: 2050000041440
Abbildung ähnlich
  • € 0,75
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 13.12 bis 14.12.2016

    MOSFET (HEXFET/FETKY)

    Technische Daten

    Typ
    IRF7319
    Gehäuse
    SOIC‑8
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    P‑Kanal
    U
    30 V
    Ptot
    2 W
    R(DS)(on)
    29 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    5.8 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    1 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    33 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    650 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    30 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

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    transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, IRF7319PBF-ND, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, IRF7319, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
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