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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF7341 1 N-Kanal 2 W SO-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162457 - 62
Teile-Nr.: IRF7341 |  EAN: 2050000041457
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    MOSFET (HEXFET/FETKY)

    Technische Daten

    Typ
    IRF7341
    Gehäuse
    SO‑8
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    4.7 A
    U
    55 V
    Ptot
    2 W
    R(DS)(on)
    50 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    4.7 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    1 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    36 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    740 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Serie
    HEXFET®
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    55 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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