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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
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MOSFET Infineon Technologies IRF7343PBF 1 N-Kanal, P-Kanal 2 W SOIC-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 563994 - 62
Teile-Nr.: IRF7343PBF |  EAN: 2050003202848
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    • Typ: IRF7343PBF
    • Gehäuse: SOIC-8
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: N-Kanal , P-Kanal

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IRF7343PBF
    Gehäuse
    SOIC-8
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N-Kanal
    P-Kanal
    I(d)
    4.7 A
    3.4 A
    U
    55 V
    Ptot
    2 W
    R(DS)(on)
    50 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    4.7 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    1 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    36 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    740 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Serie
    HEXFET®
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    55 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

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