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MOSFET Infineon Technologies IRF8010SPBF 1 N-Kanal 260 W TO-263-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564011 - 62
Teile-Nr.: IRF8010SPBF |  EAN: 2050003203012
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  • € 3,89
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    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IRF8010SPBF
    Gehäuse
    TO‑263‑3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    80 A
    U
    100 V
    Ptot
    260 W
    R(DS)(on)
    15 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    45 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    120 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    3830 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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