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MOSFET Infineon Technologies IRFB4410PBF 1 N-Kanal 200 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564029 - 62
Teile-Nr.: IRFB4410PBF |  EAN: 2050003203180
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    • Typ: IRFB4410PBF
    • Gehäuse: TO-220AB
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: N-Kanal

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IRFB4410PBF
    Gehäuse
    TO-220AB
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    88 A
    U
    100 V
    Ptot
    200 W
    R(DS)(on)
    10 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    58 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    150 µA
    Q(G)
    180 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    5150 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    50 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Serie
    HEXFET®
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    RoHS-konform
    Ja

    Dokumente & Downloads

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