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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFB4410PBF 1 N-Kanal 200 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564029 - 62
Teile-Nr.: IRFB4410PBF |  EAN: 2050003203180
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  • € 5,19
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    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IRFB4410PBF
    Gehäuse
    TO‑220AB
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    88 A
    U
    100 V
    Ptot
    200 W
    R(DS)(on)
    10 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    58 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    150 µA
    Q(G)
    180 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    5150 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    50 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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