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MOSFET Infineon Technologies IRFB9N65APBF 1 N-Kanal 167 W TO-220

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162563 - 62
Teile-Nr.: IRFB9N65APBF |  EAN: 2050000042218
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 22.09 bis 23.09.2017
    • Typ: IRFB9N65APBF
    • Gehäuse: TO-220
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: N-Kanal

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IRFB9N65APBF
    Gehäuse
    TO-220
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    8.5 A
    U
    650 V
    Ptot
    167 W
    R(DS)(on)
    930 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    5.1 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    48 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    1417 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    650 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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