JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFD120PBF 1 N-Kanal 1.3 W HEXDIP

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162583 - 62
Teile-Nr.: IRFD120PBF |  EAN: 2050000042416
  • MOSFET Infineon Technologies IRFD120PBF 1 N-Kanal 1.3 W HEXDIP
  • MOSFET Infineon Technologies IRFD120PBF 1 N-Kanal 1.3 W HEXDIP
  • € 1,19
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Menge in Stück Preis Ersparnis
    1 € 1,19 --
    10 € 1,13 5% = € 0,60
    25 € 1,07 10% = € 3,00
    100 € 1,01 15% = € 18,00
    250 € 0,95 20% = € 60,00
    Online sofort verfügbar Lieferung: 23.09 bis 25.09.2017
    • Typ: IRFD120PBF
    • Gehäuse: HEXDIP
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: N-Kanal

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IRFD120PBF
    Gehäuse
    HEXDIP
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    1.3 A
    U
    100 V
    Ptot
    1.3 W
    R(DS)(on)
    270 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    780 mA
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    16 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    360 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Ähnliche Produkte
    Nach oben