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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFH9310TRPBF 1 P-Kanal 3.1 W VDFN-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564046 - 62
Teile-Nr.: IRFH9310TRPBF |  EAN: 2050003203357
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  • € 2,19
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    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IRFH9310TRPBF
    Gehäuse
    VDFN‑8
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    P‑Kanal
    I(d)
    21 A
    40 A
    U
    30 V
    Ptot
    3.1 W
    R(DS)(on)
    4.6 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    21 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2.4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    100 µA
    Q(G)
    58 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    4.5 V
    C(ISS)
    5250 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    15 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    30 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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