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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFHM831TR2PBF 1 N-Kanal 2.5 W PQFN 3.3x3.3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161001 - 62
Teile-Nr.: IRFHM831TR2PBF |  EAN: 2050001541000
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  • € 1,25
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 13.12 bis 14.12.2016

    Transistor unipolar (MOSFET)

    Technische Daten

    Typ
    IRFHM831TR2PBF
    Gehäuse
    PQFN 3.3x3.3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    14 A
    40 A
    U
    30 V
    Ptot
    2.5 W
    R(DS)(on)
    7.8 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    12 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2.35 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    25 µA
    Q(G)
    16 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    1050 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    30 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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