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MOSFET Infineon Technologies IRFIB7N50APBF 1 N-Kanal 60 W TO-220

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162616 - 62
Teile-Nr.: IRFIB7N50APBF |  EAN: 2050000042683
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  • € 2,69
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 06.12 bis 07.12.2016

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IRFIB7N50APBF
    Gehäuse
    TO‑220
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    6.6 A
    U
    500 V
    Ptot
    60 W
    R(DS)(on)
    520 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    4 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    52 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    1423 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    500 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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