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MOSFET Infineon Technologies IRFR13N20D 1 N-Kanal 110 W TO-263-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162684 - 62
Teile-Nr.: IRFR13N20D |  EAN: 2050000043284
  • MOSFET Infineon Technologies IRFR13N20D 1 N-Kanal 110 W TO-263-3
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    • Typ: IRFR13N20D
    • Gehäuse: TO-263-3
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: N-Kanal

    HEXFET/FETKY

    Technische Daten

    Typ
    IRFR13N20D
    Gehäuse
    TO-263-3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    13 A
    U
    200 V
    Ptot
    110 W
    R(DS)(on)
    235 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    8 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    5.5 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    38 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    830 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Serie
    HEXFET®
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    200 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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