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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFR4104PBF 1 N-Kanal 140 W DPAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161082 - 62
Teile-Nr.: IRFR4104PBF |  EAN: 2050001541369
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  • € 1,79
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 07.12 bis 08.12.2016

    Transistor unipolar (MOSFET)

    Technische Daten

    Typ
    IRFR4104PBF
    Gehäuse
    DPAK
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    42 A
    U
    40 V
    Ptot
    140 W
    R(DS)(on)
    5.5 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    42 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    89 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    2950 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    40 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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