JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}
{{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Checkout' " }} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Cart' " }} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'Direct Order' " }}
Direktbestellung:
Es konnte kein Artikel gefunden werden.
Der gewünschte Artikel ist leider nicht verfügbar.

Direktbestellung / Artikelliste (BOM) hochladen

Geben Sie einfach die Bestellnummer in das obige Feld ein und die Artikel werden direkt in Ihren Einkaufswagen gelegt.

Sie möchten mehrere Artikel bestellen?
Mit unserem Artikellisten-Upload können Sie einfach Ihre eigene Artikelliste hochladen und Ihre Artikel gesammelt in den Einkaufswagen legen.
{{/xif}} {{/xif}} {{/xif}}

MOSFET Infineon Technologies IRFS4115PBF 1 N-Kanal 375 W D2PAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161109 - 62
Teile-Nr.: IRFS4115PBF |  EAN: 2050001541581
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET Infineon Technologies IRFS4115PBF 1 N-Kanal 375 W D2PAK
  • € 5,89
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 29.05 bis 30.05.2018
    • Typ: IRFS4115PBF
    • Gehäuse: D2PAK
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: N-Kanal

    Transistor unipolar (MOSFET)

    Technische Daten

    Typ
    IRFS4115PBF
    Gehäuse
    D2PAK
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    195 A
    U
    150 V
    Ptot
    375 W
    R(DS)(on)
    12.1 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    62 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    5 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    120 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    5270 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    50 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Serie
    HEXFET®
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    150 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    RoHS-konform
    Ja

    Dokumente & Downloads

    Ähnliche Produkte
    Nach oben