JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFSL4310PBF 1 N-Kanal 300 W TO-262-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564095 - 62
Teile-Nr.: IRFSL4310PBF |  EAN: 2050003203821
Abbildung ähnlich
  • € 6,19
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Lieferung in 2 Wochen

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IRFSL4310PBF
    Gehäuse
    TO‑262‑3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    U
    100 V
    Ptot
    300 W
    R(DS)(on)
    7 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    75 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    250 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    7670 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    50 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Kunden suchen auch nach
    transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, IRFSL4310PBF, selbstleitend, IRFSL4310PBF-ND, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
    Ähnliche Produkte