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MOSFET Infineon Technologies IRFU5305PBF 1 N-Kanal 110 W I-PAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162729 - 62
Teile-Nr.: IRFU5305PBF |  EAN: 2050000043635
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    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 06.12 bis 07.12.2016

    HEXFET/FETKY

    Technische Daten

    Typ
    IRFU5305PBF
    Gehäuse
    I‑PAK
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    31 A
    U
    55 V
    Ptot
    110 W
    R(DS)(on)
    65 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    16 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    4 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    63 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    1200 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    55 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

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