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MOSFET Infineon Technologies IRL3705NS 1 N-Kanal 3.8 W D2PAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162785 - 62
Teile-Nr.: IRL3705NS |  EAN: 2050000044083
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 06.12 bis 07.12.2016

    MOSFET (HEXFET/FETKY)

    Technische Daten

    Typ
    IRL3705NS
    Gehäuse
    D2PAK
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    89 A
    U
    55 V
    Ptot
    3.8 W
    R(DS)(on)
    10 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    46 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    98 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    5 V
    C(ISS)
    3600 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    55 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

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