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MOSFET Infineon Technologies IRL6372PBF 1 N-Kanal 2 W SO-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161157 - 62
Teile-Nr.: IRL6372PBF |  EAN: 2050001542007
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    Transistor unipolar (MOSFET)

    Technische Daten

    Typ
    IRL6372PBF
    Gehäuse
    SO‑8
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    8.1 A
    U
    30 V
    Ptot
    2 W
    R(DS)(on)
    17.9 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    8.1 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    4.5 V
    U(GS)(th) max.
    1.1 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    10 µA
    Q(G)
    11 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    4.5 V
    C(ISS)
    1020 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    30 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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