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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRLB3813PBF 1 N-Kanal 230 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161164 - 62
Teile-Nr.: IRLB3813PBF |  EAN: 2050001542069
Abbildung ähnlich
  • € 2,09
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 08.12 bis 09.12.2016

    Transistor unipolar (MOSFET)

    Technische Daten

    Typ
    IRLB3813PBF
    Gehäuse
    TO‑220AB
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    260 A
    U
    30 V
    Ptot
    230 W
    R(DS)(on)
    1.95 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    60 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2.35 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    150 µA
    Q(G)
    86 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    4.5 V
    C(ISS)
    8420 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    15 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    30 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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