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MOSFET Infineon Technologies IRLB4030PBF 1 N-Kanal 370 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161165 - 62
Teile-Nr.: IRLB4030PBF |  EAN: 2050001542076
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    • Typ: IRLB4030PBF
    • Gehäuse: TO-220AB
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: N-Kanal

    Transistor unipolar (MOSFET)

    Technische Daten

    Typ
    IRLB4030PBF
    Gehäuse
    TO-220AB
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    180 A
    U
    100 V
    Ptot
    370 W
    R(DS)(on)
    4.3 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    110 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2.5 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    130 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    4.5 V
    C(ISS)
    11360 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    50 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads