JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRLHM620TR2PBF 1 N-Kanal 2.7 W PQFN 3.3x3.3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 161172 - 62
Teile-Nr.: IRLHM620TR2PBF |  EAN: 2050001542144
Abbildung ähnlich
  • € 1,67
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten

    Transistor unipolar (MOSFET)

    Technische Daten

    Typ
    IRLHM620TR2PBF
    Gehäuse
    PQFN 3.3x3.3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    26 A
    40 A
    U
    20 V
    Ptot
    2.7 W
    R(DS)(on)
    2.5 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    20 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    4.5 V
    U(GS)(th) max.
    1.1 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    50 µA
    Q(G)
    78 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    4.5 V
    C(ISS)
    3620 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    10 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +150 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    20 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Kunden suchen auch nach
    transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, IRLHM620TR2PBF, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet