JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.at
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRLR120N 1 N-Kanal 48 W TO-263-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162845 - 62
Teile-Nr.: IRLR120N |  EAN: 2050000044526
  • MOSFET Infineon Technologies IRLR120N 1 N-Kanal 48 W TO-263-3
  • MOSFET Infineon Technologies IRLR120N 1 N-Kanal 48 W TO-263-3
  • € 1,29
    (Sie sparen € 0,39)
    € 0,90
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Menge in Stück Preis Ersparnis
    1 € 0,90 --
    10 € 0,86 4% = € 0,40
    100 € 0,81 10% = € 9,00
    Online sofort verfügbar Lieferung: 25.07 bis 26.07.2017
    • Typ: IRLR120N
    • Gehäuse: TO-263-3
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: N-Kanal

    HEXFET/FETKY

    Technische Daten

    Typ
    IRLR120N
    Gehäuse
    TO-263-3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    10 A
    U
    100 V
    Ptot
    48 W
    R(DS)(on)
    185 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    6 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    20 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    5 V
    C(ISS)
    440 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Ähnliche Produkte