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MOSFET Infineon Technologies IRLR120N 1 N-Kanal 48 W TO-263-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162845 - 62
Teile-Nr.: IRLR120N |  EAN: 2050000044526
MOSFET Infineon Technologies IRLR120N 1 N-Kanal 48 W TO-263-3
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    Online sofort verfügbar Lieferung: 08.12 bis 09.12.2016

    HEXFET/FETKY

    Technische Daten

    Typ
    IRLR120N
    Gehäuse
    TO‑263‑3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    10 A
    U
    100 V
    Ptot
    48 W
    R(DS)(on)
    185 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    6 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    20 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    5 V
    C(ISS)
    440 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    100 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1
    Target 3001!

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

    Highlights & Details

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