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MOSFET Infineon Technologies IRLR2905PBF 1 N-Kanal 110 W DPAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162848 - 62
Teile-Nr.: IRLR2905PBF |  EAN: 2050000044557
  • MOSFET Infineon Technologies IRLR2905PBF 1 N-Kanal 110 W DPAK
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    • Typ: IRLR2905PBF
    • Gehäuse: DPAK
    • Hersteller: Infineon Technologies
    • Herst.-Abk.: INF
    • Ausführung: N-Kanal

    HEXFET/FETKY

    Technische Daten

    Typ
    IRLR2905PBF
    Gehäuse
    DPAK
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N-Kanal
    I(d)
    42 A
    U
    55 V
    Ptot
    110 W
    R(DS)(on)
    27 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    25 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    48 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    5 V
    C(ISS)
    1700 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    -55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    55 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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