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MOSFET Infineon Technologies IRLR2908PBF 1 N-Kanal 120 W TO-252-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564192 - 62
Teile-Nr.: IRLR2908PBF |  EAN: 2050003204743
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  • € 1,89
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 06.12 bis 07.12.2016

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IRLR2908PBF
    Gehäuse
    TO‑252‑3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    U
    80 V
    Ptot
    120 W
    R(DS)(on)
    28 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    23 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2.5 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    33 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    4.5 V
    C(ISS)
    1890 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    80 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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