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MOSFET Infineon Technologies IRLR3636PBF 1 N-Kanal 143 W TO-252-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564193 - 62
Teile-Nr.: IRLR3636PBF |  EAN: 2050003204750
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  • € 2,09
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 08.12 bis 09.12.2016

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IRLR3636PBF
    Gehäuse
    TO‑252‑3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    N‑Kanal
    I(d)
    3 A
    U
    60 V
    Ptot
    143 W
    R(DS)(on)
    6.8 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    50 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    2.5 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    100 µA
    Q(G)
    49 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    4.5 V
    C(ISS)
    3779 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    50 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Serie
    HEXFET®
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    60 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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