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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRLR9343PBF 1 P-Kanal 79 W TO-252-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564195 - 62
Teile-Nr.: IRLR9343PBF |  EAN: 2050003204774
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  • € 1,49
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 25.02 bis 27.02.2017

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IRLR9343PBF
    Gehäuse
    TO‑252‑3
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    P‑Kanal
    I(d)
    80 A
    U
    55 V
    Ptot
    79 W
    R(DS)(on)
    105 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    3.4 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    10 V
    U(GS)(th) max.
    1 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    47 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    10 V
    C(ISS)
    660 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    50 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑40 °C
    Montageart
    Oberflächenmontage
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Serie
    HEXFET®
    Transistor-Merkmal
    Standard
    U(DSS)
    55 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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