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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRLZ14PBF 1 HEXFET 43 W TO-220

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162865 - 62
Teile-Nr.: IRLZ14PBF |  EAN: 2050000044700
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  • € 2,09
    inkl. MwSt., zzgl. Versandkosten
    Online sofort verfügbar Lieferung: 07.12 bis 08.12.2016

    MOSFET

    Technische Daten

    Typ
    IRLZ14PBF
    Gehäuse
    TO‑220
    Hersteller
    Infineon Technologies
    Herst.-Abk.
    INF
    Ausführung
    HEXFET
    I(d)
    10 A
    U
    60 V
    Ptot
    43 W
    R(DS)(on)
    200 mΩ
    R(DS)(on) Referenz-Strom
    6 A
    R(DS)(on) Referenz-Spannung
    5 V
    U(GS)(th) max.
    2 V
    U(GS)(th) Referenz-Strom max.
    250 µA
    Q(G)
    8.4 nC
    Q(G) Referenz-Spannung
    5 V
    C(ISS)
    400 pF
    C(ISS) Referenz-Spannung
    25 V
    Betriebstemperatur (min.)
    ‑55 °C
    Montageart
    Durchführungsloch
    Betriebstemperatur (max.)
    +175 °C
    Transistor-Merkmal
    Logic Level Gate
    U(DSS)
    60 V
    Kategorie
    MOSFET
    Kanäle
    1

    Dokumente & Downloads

    Technische Daten

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